FDME430NT: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET

该单 N 沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，用于优化专用 MicroFET 引线框上的 RDS(ON)（VGS = 1.8 V 时）。

特性

• 最大值 R_DS(on) = 40 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 6 A
  
• 最大值 R_DS(on) = 51 mΩ（V_GS = 2.5 V, I_D = 5 A
  
• 最大值 R_DS(on) = 71 mΩ（V_GS = 1.8 V, I_D = 4 A
  
• 薄型： 最大0.55 mm，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  
• 无卤素化合物和锑氧化物
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes