FDME510PZT: -20V P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件是专为蜂窝手机和其他超便携式应用中的电池充电或负载开关应用而设计的。 它具有带低通态电阻的MOSFET。MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

特性

• V_GS = -4.5 V，I_D = -5 A_时，rDS(on)
  = 37 mΩ（最大值）
• V_GS = -2.5 V，I_D = -4 A时，最大r_DS(on) = 50mΩ
  
• V_GS = -1.8 V，I_D = -3 A时，最大r_DS(on) = 65mΩ
  
• V_GS = -1.5 V，I_D = -2 A时，最大r_DS(on) = 100mΩ
  
• 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes