FDME820NZT: 20V N沟道PowerTrench® MOSFET

该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，用于优化VGS = 1.8 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。

特性

• V_GS = 4.5V，I_D = 9A时，最大r_DS(on) = 18mΩ
  
• V_GS = 2.5 V，I_D = 7.5 A时，最大r_DS(on) = 24mΩ
  
• V_GS = 1.8 V，I_D = 7 A时，最大r_DS(on) = 32mΩ
  
• 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• HBM静电放电保护等级为>2.5kV（注3）
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes