FDME910PZT: -20V P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件是专为蜂窝手机和其他超便携式应用中的电池充电或负载开关应用而设计的。 包含一个具有低通态电阻的MOSFET和齐纳二极管防静电放电保护。 MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

特性

• V_GS = -4.5 V，I_D = -8 A时，最大r
  DS(on) = 24mΩ
• V_GS = -2.5 V，I_D = -7 A时，最大rDS(on) = 31mΩ
  
• V_GS = -1.8 V，I_D = -6 A时，最大rDS(on) = 45mΩ
  
• 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  
• HBM静电放电保护等级> 2kV典型值（注3）
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes