FDMS3660AS: 30 V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench®

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET™ (Q2) 旨在提供优化的功效。

特性

• Q1： N 沟道
  
  • rDS(on)最大值 = 8 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 13 A
  • rDS(on)最大值 = 11 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 11 A
• r_DS(on)最大值 = 8 mΩ，需 V_GS = 10 V、I_D = 13 A
  
• r_DS(on)最大值 = 11 mΩ，需 V_GS = 4.5 V、I_D = 11 A
  
• Q2： N 沟道
  
  • rDS(on)最大值 = 1.8 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 30 A
  • rDS(on)最大值 = 2.2 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 27 A
• r_DS(on)最大值 = 1.8 mΩ，需 V_GS = 10 V、I_D = 30 A
  
• r_DS(on)最大值 = 2.2 mΩ，需 V_GS = 4.5 V、I_D = 27 A
  
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
  
• MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes