FDMS6673BZ: -30V P沟道PowerTrench® MOSFET

FDMS6673BZ旨在最大限度地减少负载开关应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合，提供了最低rDS(on)和ESD保护。

特性

• V_GS = -10 V，I_D = -15.2 A时，最大r_DS(on) = 6.8 mΩ
• V_GS = -4.5 V，I_D = -11.2 A时，最大r_DS(on) = 12.5 mΩ
• 先进的封装和硅技术完美融合，实现了低r_DS(on)
• HBM ESD保护等级 = 8 kV典型值 （注3）
• MSL1耐用封装设计
• 符合RoHS标准

Application Notes