FDMS8090: 100V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench® 功率级 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDMS8090: 100V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench® 功率级

该器件在双Power 56（5 毫米 X 6 毫米 MLP）封装中包括两个快速开关（QGD最小化）100V N 沟道 MOSFET。封装增强用于出色的热性能。

**数据手册DataSheet**
FDMS8090.pdf

特性

最大值 rDS(on) = 13 mΩ（VGS = 10 V, ID = 10 A 时）
最在值 r_DS(on)= 20 mΩ（V_GS = 6 V, I_D = 8 A
）
低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
100%经过UIL测试
符合RoHS标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDMS8090	量产绿色：截至2012年3月中国 RoHS	$1.7765	MLP 5x6 8L (Power 56) - 0.8 x 6 x 5mm, 卷带 MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图最后更新: 2015年11月 MLP08-6.0X5.0 Packing Drawing 最后更新: 2015年10月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行FDMS 第三行8090

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

AN-4158 Symmetric Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs for Half-Bridge DC-DC Converter in Telecommunication Brick Module Application 最后更新 : 2014年6月28日

Datasheet: FDMS8090.pdf













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