FDMS8558S: 25V N沟道PowerTrench® SyncFET™

此N沟道SyncFET™ 采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产。 先进的硅技术和封装技术完美融合，可在提供最小rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 该器件具有高效单片肖特基体二极管的新增优点。

特性

• V_GS = 10 V，I_D = 33 A时，最大r_DS(on) = 1.5mΩ
  
• V_GS = 4.5 V，I_D = 31 A_{时，最大r}DS(on)
  = 1.7 mΩ
• 高性能技术可实现极低的r_DS(on)
  
• SyncFET™ 肖特基体二极管
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes