此N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
第二行FDMS 第三行86102LZ