FDMS86180: 100 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET

N 沟道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大 r_DS(on) = 3.2 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 67 A
  
• 最大 r_DS(on) = 7.9 mΩ（V_GS = 6 V、I_D = 33 A
  
• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
  
• 降低了开关噪声/EMI
  
• MSL1 强健封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes