FDMS86252L: 150V N沟道屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大r_DS(on) = 56 mΩ（V_GS = 10 V，I_D = 4.4 A）
  
• 最大r_DS(on) = 71 mΩ（V_GS = 6 V，I_D = 3.8 A）
  
• 最大r_DS(on) = 75 mΩ（V_GS = 4.5 V，I_D = 3.7 A）
  
• 低r_DS(on)和高效
  
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
  
• MSL1 耐用封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes