FDMS86300DC: N 沟道 Dual CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 Power Trench® 工艺生产。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性

• Dual Cool™ 顶侧冷却 PQFN 封装
• 最大 r_DS(on) = 3.1 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 24 A）
• 最大 r_DS(on) = 4.0 mΩ（V_GS = 8 V、I_D = 21 A）
• 高性能技术可实现极低的 r_DS(on)
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes