FDMT800120DC: N 沟道 Dual CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性

• 最大 r_DS(on) = 4.14（V_GS = 10 V、I_D = 20 A
  
• 最大 r_DS(on) = 6.0 mΩ（V_GS = 6 V、I_D = 16 A
  
• 低 r_DS(on)和高效的先进硅封装
  
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
  
• 薄型 8x8 mm MLP 封装
  
• MSL1 强健封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes