FDN338P: P 沟道 2.5 V 额定 PowerTrench ® MOSFET

此 P 沟道 2.5 V 额定 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺生产。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性

• –1.6 A, –20 V.
• R_DS(ON)= 115 mΩ @ VGS = –4.5 V
• R_DS(ON) = 155 mΩ @ VGS = –2.5 V
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• SuperSOT™ -3 提供低 R_DS(ON)，并且在同样的尺寸下，功率处理能力比 SOT23 高出 30%

Application Notes