FDN358P: 单 P 沟道、逻辑电平、PowerTrench® MOSFET

此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合便携式电子应用： 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。

特性

• -1.5 A，-30 V
• R_DS(ON) = 125 mΩ @ V_GS = 10 V
• R_DS(ON) = 200 mΩ @ V_GS = 4.5 V
• 低栅极电荷（4nC，典型值）
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• 高功率版本的工业标准SOT-23封装。 相同的SOT-23引脚，可将功率处理能力提高30%。

Application Notes