FDN86265P: -150V P沟道屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

本 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

特性

• 最大 r_DS(on) = 1.2 Ω（需 V_GS = -10 V、I_D = -0.8 A
  
• 最大 r_DS(on) = 1.4 Ω（需 V_GS = -6 V、I_D = -0.7 A
  
• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
  
• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes