FDN86501LZ: N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET 60 V、2.6 A、116 mΩ

N 沟道 MOSFET 采用飞兆的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该过程已经过优化，可提供优异的 rDS(on)、开关性能和耐用性。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大 r_DS(on) = 116 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 2.6 A
  
• 最大 r_DS(on) = 170 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 2.1 A
  
• 高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  
• 快速开关速度
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes