FDS3580: N 沟道 PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 这些MOSFET与其他具有可比R DS(ON)规格的MOSFET相比，具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性

• 7.6 A, 80 V.
  
• R_{DS(ON )} = 0.029 Ω @ V_GS = 10 V
  
• R_DS(ON) = 0.033 Ω @ V_GS = 6 V.
  
• 低栅极电荷（典型值 34 nC）。
  
• 快速开关。
  
• 高性能沟道技术可实现极低的 R_DS(ON)。
  
• 高功率和高电流处理性能。
  

Application Notes