FDS4935BZ: -30V双P沟道PowerTrench® MOSFET

该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。

与其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。

结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

特性

• –6.9 A，–30 V
• R_DS(ON) = 22 mΩ @ V_GS = –10 V
• R_DS(ON) = 35 mΩ @ V_GS = - 4.5 V
• 扩展了V_GSS范围(-25V)，适合电池应用
• 静电放电(ESD)保护二极管（注3）
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• 高功率和高电流处理能力

Application Notes