FDS6576: P沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET

此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对广泛栅极驱动电压(2.5V – 12V)的电源管理应用进行了优化。

特性

• -11 A，-20 V。
• R_DS(ON) = 0.014 Ω @ V_GS = -4.5 V
• R_DS(ON) = 0.020 Ω @ V_GS = -2.5 V
• 扩展了V_GSS范围(+-12V)，适合电池应用
• 低栅极电荷（典型值44 nC）
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(on)
• 高功率和高电流处理能力
• 符合RoHS标准

Application Notes