FDS6875: 双P沟道2.5V规格PowerTrench® MOSFET

这些P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。     此类器件非常适合便携式电子应用： 负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。

特性

• -6 A，-20 V。 R_DS(ON) = 0.030 Ω @ V_GS = -4.5 V, R_DS(ON) = 0.040 Ω @ V_GS = -2.5 V.
• 低栅极电荷（典型值23 nC）
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• 高功率和高电流处理能力。

Application Notes