FDS86267P: P 沟道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET

本 P 沟道 MOSFET 采用飞兆的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺针对通态电阻优化，可保持卓越开关性能。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大 r_DS(on) = 255 mΩ（V_GS = -10 V、I_D = -2.2 A
  
• 最大 r_DS(on) = 290 mΩ（V_GS = -6 V、I_D = -2 A
  
• 中压 P 沟道硅技术的 r_DS(on)极低，非常适用于 Qg 较低的情况
  
• 本品已针对需要快速开关和负载开关的应用进行了优化
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes