FDS89161LZ: 100 V 双 N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET

本 N 沟道逻辑电平 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产，该工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而特别定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大值 r_DS(on) = 105 mΩ (V_GS = 10 V, I_D = 2.7 A
  )
• 最大值 r_DS(on) = 160 mΩ (V_GS = 4.5 V, I_D = 2.1 A
  )
• 高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  
• CDM ESD 保护等级为：典型值>2 KV（注释 4）
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes