FDS9953A: 双 -30V P沟道 PowerTrench® MOSFET

此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V – 25V)的电源管理应用进行了优化。

特性

• -2.9 A, -30 V
  
• R_DS(on) = 130 mΩ@ V_GS = -10 V
  
• R_DS(on) = 200 mΩ @ V_GS = -4.5 V
  
• 低栅极电荷（2.5nC典型值）
  
• 快速开关速度
  
• 高性能沟道技术可实现极低 R_DS(ON)
  
• 高功率和高电流处理能力
  

Application Notes