FDT457N: N沟道增强模型场效应晶体管

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而定制的。 此类产品非常适合低电压、低电流应用，例如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和DC电机控制。

特性

• 5 A，30 V。 R_DS(ON) = 0.06 Ω @ V_GS = 10 V
  R_DS(ON) = 0.090 Ω @ V_GS = 4.5 V
  
• 高密度设计可实现极低的R_DS(ON)
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  

Application Notes