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FDT86244: 150V N沟道Power Trench® MOSFET
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
数据手册DataSheet
FDT86244.pdf
特性
V
GS
= 10 V且ID = 2.8A时,最大r
DS(on)
= 128 m
Ω
V
GS
= 6 V且ID = 2.4A时,最大r
DS(on)
= 178 m
Ω
高性能沟道技术可实现极低的r
DS
(on)
在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
快速开关速度
100%经过UIL测试
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDT86244
量产 绿色:截至2011年2月 中国 RoHS
$0.4909
SOT-223 4L - 1.8 x 6.5 x 3.5mm, 卷带
SOT-223 4L 示意图
最后更新: 2016年7月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
86244
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