FDT86244: 150V N沟道Power Trench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDT86244: 150V N沟道Power Trench® MOSFET

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。

**数据手册DataSheet**
FDT86244.pdf

特性

V_GS = 10 V且ID = 2.8A时，最大r_DS(on) = 128 m_Ω
V_GS = 6 V且ID = 2.4A时，最大r_DS(on) = 178 m_Ω
高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
快速开关速度
100%经过UIL测试
符合RoHS标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDT86244	量产绿色：截至2011年2月中国 RoHS	$0.4909	SOT-223 4L - 1.8 x 6.5 x 3.5mm, 卷带 SOT-223 4L 示意图最后更新: 2016年7月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行86244

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9763 Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting 最后更新 : 2014年6月28日

AN-1028 Maximum Power Enhancement Techniques for SOT-223 Power MOSFETs 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDT86244.pdf













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