FDY4000CZ: 20V互补N和P沟道PowerTrench® MOSFET

该互补型N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺设计，优化了RDS(ON)（VGS=2.5V）并且指定RDS(ON)（VGS = 1.8V）。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 0.7m（V_GS = 4.5V, I_D = 600A
• 最大值 r_DS(on) = 0.85m（V_GS = 2.5V, I_D = 500A
• 最大值 r_DS(on) = 1.25m（V_GS = 1.8V, I_D = 150A
• 最大值 R_DS(on) = 1.2Ω（V_GS = -4.5V, I_D = -350mA
• 最大值 R_DS(on) = 1.6Ω（V_GS = -2.5V, I_D = -300mA
• 最大值 R_DS(on) = 2.7Ω（V_GS = -1.8V, I_D = -150mA
• ESD保护二极管
• 符合RoHS标准

Application Notes