FDZ193P: -20V P沟道1.7V PowerTrench® WL-CSP MOSFET

FDZ193P采用飞兆先进的1.7 V PowerTrench®工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计，可最大限度地减小PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。

特性

• V_GS = -4.5V，I_D = -1A时，r_DS(on) = 90 mΩ（最大值）
• V_GS = -2.5V，I_D = -1A时，r_DS(on) = 130 mΩ（最大值）
• V_GS = -1.7V，I_D = -1A时，最大r_DS(on) = 300mΩ
• 仅占1.5mm²的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%
• 超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.65 mm
• 符合RoHS标准

Application Notes