FQB6N40C: N 沟道 QFET® MOSFET 400 V、6 A、1.0 Ω

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因素校正和半桥拓扑的电子灯整流器。

特性

• 6 A、400 V、R_DS(on) = 1.0 Ω（最大值）@ V_GS = 10 V、I_D = 3 A
• 低栅极电荷（典型值 16 nC）
• 低 Crss（典型值 15 pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes