FQB9P25: P 沟道 QFET® MOSFET -250 V、-9.4 A、620 mΩ

这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关 DC/DC 转换器。

特性

• -9.4 A、-250 V、R_DS(on) = 620 mΩ（最大值）@ V_GS = -10 V、I_D = -4.7 A
• 低栅极电荷（典型值 29 nC)
• 低 Crss（典型值 27 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes