FQD4P40: P 沟道 QFET® MOSFET -400 V、-2.7 A、3.1 Ω _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FQD4P40: P 沟道 QFET® MOSFET -400 V、-2.7 A、3.1 Ω

这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合基于互补半桥的电子灯镇流器。

**数据手册DataSheet**
FQD4P40.pdf

特性

-2.7 A、-400 V、R_DS(on) = 3.1 Ω（最大值）@ V_GS = -10 V、I_D = -1.35 A
低栅极电荷（典型值 18 nC)
低 Crss（典型值 11 pF)
100% 经过雪崩击穿测试

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FQD4P40TM	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$1.188	TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带 TO-252 3L (DPAK) 示意图最后更新: 2016年6月 TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO252-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO252-3L packing drawing 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FQD 第三行4P40
FQD4P40TM_AM002	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$1.188	TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带 TO-252 3L (DPAK) 示意图最后更新: 2016年6月 TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO252-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO252-3L packing drawing 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FQD 第三行4P40

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FQD4P40.pdf














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