FQP4N20L: N 沟道 QFET® MOSFET 200 V、3.8 A、1.35 Ω

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供的卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关 DC/DC 转换器、开关模式电源、电机控制。

特性

• 3.8 A、200 V、R_DS(on) = 1.35 Ω（最大值）@ V_GS = 10 V、I_D = 1.9 A
• 低栅极电荷（典型值 4.0 nC)
• 低 Crss（典型值 6.0 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes