H11D1M: 6引脚DIP高BVceo光电晶体管输出光电耦合器

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。

特性

• 高电压：
  • MOC8204M, BVCEO= 400 V
  • H11D1M, BVCEO= 300 V
  • H11D3M, BVCEO= 200 V
• MOC8204M, BV_CEO= 400 V
• H11D1M, BV_CEO= 300 V
• H11D3M, BV_CEO= 200 V
• 安全和法规认证：
  • UL1577，4170 VACRMS（1 分钟）
• UL1577，4170 VAC_RMS（1 分钟）
• DIN-EN/IEC60747-5-5，850 V 峰值工作绝缘电压