HUF75321P3: 55 V、35 A、34 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。以前的开发类型为TA75321。

特性

• 35A、55V
• 仿真模型 - 温度补偿式 PSPICE® 和 SABER™模型 - 热阻抗 SPICE 和 SABER 模型请参考网站： www.fairchildsemi.com
• 峰值电流与脉宽曲线
• UIS额定值曲线
• 相关文献 - TB334，“PC板焊接表面贴装组件的指南”

Application Notes