HUF75639G3: 100 V、56 A、25 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。

**数据手册DataSheet**
HUF75639G3.pdf

特性

56A，100V
仿真模型
温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型
SPICE和SABER热阻抗模型
峰值电流与脉宽曲线
UIS额定值曲线这些N沟道Power MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
HUF75639G3	量产绿色：截至2013年8月中国 RoHS	$2.16	TO-247 3L - 4.7 x 15.62 x 20.57mm, 管装 TO-247 3L 示意图最后更新: 2016年9月 TO247-3L, JEDEC OPTION AB, PACKING DRAWING 最后更新: 2015年11月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行75639G