IRFU220B: N 沟道 BFET MOSFET

这些N沟道增强型功率场效应晶体管是采用飞兆专有的、平面条形DMOS技术生产的。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合于高效率的开关DC/DC转换器、开关电源、用于不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。

特性

• 4.6 A，200 V，R_DS(on) = 800 mΩ，条件是 V_GS = 10 V
• 低栅极电荷（典型值12 nC)
• 低 Crss（典型值10 pF)
• 快速开关
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能

Application Notes