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KSD261: NPN外延硅晶体管
数据手册DataSheet
KSD261.pdf
特性
KSA643的补充器件
集电极损耗: P
C
= 500mW
后缀“-C”表示中心集电极(1. 发射极 2. 集电极 3. 基极)低频功率放大器
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
KSD261CGTA
量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS
$0.0244
TO-92 3L - 4.19 x 5.2 x 21.77mm, AMMO
TO-92 3L 示意图
最后更新: 2015年10月
TO92-3L, PACKING DRAWING
最后更新: 2014年5月
第一行
D261
第三行
GC
&3
(3 位日期代码)
KSD261YBU
废弃截至2011年2月10日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 替代部件: 无 中国 RoHS
不适用
TO-92 3L - 5.59 x 5.49 x 21.77mm, 批量
TO-92 3L 示意图
最后更新: 2015年10月
第一行
D261
Application Notes
AN-1025
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs
最后更新 : 2015年6月15日
KSD261.pdf
TO-92 3L Drawing
Last Update: Oct 2015
TO92-3L, PACKING DRAWING
Last Update: May 2014
TO-92 3L Drawing
Last Update: Oct 2015
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs
Last Update : 15-Jun-2015
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