NDC7003P: 双N和P沟道增强模式场效应晶体管

这些双P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的Trench技术生产。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。

特性

• 0.34 A，50 V。
• R_DS(ON) = 5 Ω @ V_GS = -10 V
• R_DS(ON) = 7 Ω @ V_GS = -4.7 V
• 低栅极电荷
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• SuperSOT™ -6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。

Application Notes