NDS0605: P沟道增强模式场效应晶体管

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 NDS0605 在需要高达0.18A直流电的大多数应用中可轻松使用，并且可提供高达1A的脉冲电流。 该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。

特性

• -0.18 A, -60 V. R_DS(ON) = 5 Ω @ V_GS= -10 V.
• 电压控制的P沟道小信号开关。
• 高密度单元设计可实现极低的 R_DS(ON)。
• 高饱和电流。

Application Notes