NDS331N: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

这些N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMCIA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。

特性

• 1.3 A，20 V。 R_DS(ON) = 0.21 Ω @ V_GS = 2.7 V
  R_DS(ON) = 0.16 Ω @ V_GS = 4.5 V
  
• 采用专有SuperSOT™-3技术设计的工业标准SOT-23表面贴装封装，可实现卓越的热性能和电气性能
  
• 高密度设计可实现极低的R_DS(ON)
  
• 出色的导通阻抗和最大DC电流能力
  

Application Notes