DS1220AB：16k非易失SRAM
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
| DS1220AB、DS1220AD：引脚分配 |
数据手册DataSheet
| 语言 | 下载文件 | 备注 |
|---|---|---|
| 英文 | DS1220AB-DS1220AD.pdf | Rev 4; 10/2010 |
关键参数
| Part Number | Memory Type | Memory Size | Bus Type | VSUPPLY (V) | VSUPPLY (V) | Package/Pins | Budgetary Price |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| min | max | See Notes | |||||
| DS1220AB | NV SRAM | 2K x 8 | Parallel | 4.75 | 5.25 | EDIP/24 | $8.17 @1k |
| DS1220AD | 4.5 | 5.5 | EDIP/24 | $8.05 @1k | |||
技术资料
- How to Replace a DS1213 SmartSocket with an Equivalent-Density NV SRAM Module
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
- NV SRAM Device Programmers
- Timing Considerations When Using NVSRAM
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
- NV SRAM Frequently Asked Questions
订购型号
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装 | 温度 | RoHS/无铅 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1220AB-100 | 5%容差、100ns | 停止供货 | DS1220AB-100+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1220AB-100IND | 5%容差、100ns | 停止供货 | DS1220AB-100IND+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1220AB-100IND+ | 生产中 | DS1220AB-100+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 | |
| DS1220AB-120 | 5%容差、120ns | 停止供货 | DS1220AB-100+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1220AB-120+ | 生产中 | DS1220AB-100+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 | |
| DS1220AB-150 | 5%容差、150ns | 停止供货 | DS1220AB-100+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1220AB-150+ | 生产中 | DS1220AB-100+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 | |
| DS1220AB-150IND | 停止供货 | DS1220AB-100IND+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 | |
| DS1220AB-150IND+ | 生产中 | DS1220AB-100IND+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 | |
| DS1220AB-200 | 5%容差、200ns | 停止供货 | DS1220AB-100+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装：类型 引脚 占位面积封装图 编码/变更 * | 温度 | RoHS/无铅？ |
| DS1220AB-200+ | 生产中 | DS1220AB-100IND+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 | |
| DS1220AB-200IND | 5%容差、200ns | 停止供货 | DS1220AB-100IND+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1220AB-200IND+ | 生产中 | DS1220AB-100IND+ | EDIP,；24引脚；609.6mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
- DS1220AB-DS1220AD.pdf DS1220AD
- How to Replace a DS1213 SmartSocket with an Equivalent-Density NV SRAM Module DS1250AB
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM DS1270Y
- NV SRAM Device Programmers DS1250Y
- Timing Considerations When Using NVSRAM DS1350Y
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table DS1270Y
- NV SRAM Frequently Asked Questions DS1350Y
- DS1220AB-DS1220AD.pdf DS1220AB
