DS1225AD：64k非易失SRAM
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以用来直接替代现有的8k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。这些器件还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
| DS1225AB、DS1225AD：引脚分配 |
数据手册DataSheet
| 语言 | 下载文件 | 备注 |
|---|---|---|
| 英文 | DS1225AB-DS1225AD.pdf | Rev 4; 11/2010 |
关键参数
| Part Number | Memory Type | Memory Size | Bus Type | VSUPPLY (V) | VSUPPLY (V) | Package/Pins | Budgetary Price |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| min | max | See Notes | |||||
| DS1225AB | NV SRAM | 8K x 8 | Parallel | 4.75 | 5.25 | EDIP/28 | $10.56 @1k |
| DS1225AD | 4.5 | 5.5 | EDIP/28 | ||||
技术资料
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
- NV SRAM Device Programmers
- Timing Considerations When Using NVSRAM
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
- NV SRAM Frequently Asked Questions
订购型号
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装 | 温度 | RoHS/无铅 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1225AD-150 | 10%容差、150ns | 停止供货 | DS1225AD-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1225AD-150+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1225AD-150IND | 10%容差、150ns | 停止供货 | DS1225AD-70IND+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1225AD-170 | 10%容差、170ns | 停止供货 | DS1225AD-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1225AD-170+ | 生产中 | DS1225AD-150+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | |
| DS1225AD-200 | 10%容差、200ns | 停止供货 | DS1225AD-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1225AD-200+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1225AD-200IND | 10%容差、200ns | 停止供货 | DS1225AD-70IND+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1225AD-200IND+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1225AD-70 | 10%容差、70ns | 停止供货 | DS1225AD-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装：类型 引脚 占位面积封装图 编码/变更 * | 温度 | RoHS/无铅？ |
| DS1225AD-70+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1225AD-70IND | 10%容差、70ns | 停止供货 | DS1225AD-70IND+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1225AD-70IND+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1225AD-85 | 10%容差、85ns | 停止供货 | DS1225AD-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1225AD-85+ | 生产中 | DS1225AD-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 |
- DS1225AB-DS1225AD.pdf DS1225AD
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM DS1270Y
- NV SRAM Device Programmers DS1250Y
- Timing Considerations When Using NVSRAM DS1350Y
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table DS1270Y
- NV SRAM Frequently Asked Questions DS1350Y
- DS1225AB-DS1225AD.pdf DS1225AD
