DS1230Y：256k非易失SRAM
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。小尺寸模块封装的DS1230器件专为表面贴装应用设计。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
| DS1230AB、DS1230Y：引脚分配 |
数据手册DataSheet
| 语言 | 下载文件 | 备注 |
|---|---|---|
| 英文 | DS1230AB-DS1230Y.pdf | Rev 4; 11/2010 |
关键参数
| Part Number | Memory Type | Memory Size | Bus Type | VSUPPLY (V) | VSUPPLY (V) | Package/Pins | Budgetary Price |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| min | max | See Notes | |||||
| DS1230AB | NV SRAM | 32K x 8 | Parallel | 4.75 | 5.25 |
| $14.14 @1k |
| DS1230Y | 4.5 | 5.5 |
| $14.83 @1k | |||
技术资料
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
- NV SRAM Device Programmers
- Timing Considerations When Using NVSRAM
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
- NV SRAM Frequently Asked Questions
- Adding Nonvolatile SRAM into Embedded Systems
订购型号
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装 | 温度 | RoHS/无铅 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1230Y-100 | 10%容差、100ns | 停止供货 | DS1230Y-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1230Y-100+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1230Y-120 | 10%容差、120ns | 停止供货 | DS1230Y-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1230Y-120+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1230Y-120IND | 10%容差、120ns | 停止供货 | DS1230Y-70IND+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1230Y-120IND+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1230Y-150 | 10%容差、150ns | 停止供货 | DS1230Y-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1230Y-150+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1230Y-200 | 10%容差、200ns | 停止供货 | DS1230Y-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1230Y-200+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装：类型 引脚 占位面积封装图 编码/变更 * | 温度 | RoHS/无铅？ |
| DS1230Y-200IND | 10%容差、200ns | 停止供货 | DS1230Y-70IND+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1230Y-200IND+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1230Y-70 | 10%容差、70ns | 停止供货 | DS1230Y-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1230Y-70+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1230Y-70IND | 10%容差、70ns | 停止供货 | DS1230Y-70IND+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1230Y-70IND+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1230Y-85 | 10%容差、85ns | 停止供货 | DS1230Y-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1230Y-85+ | 生产中 | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1230Y-FIR | 停止供货 | DS1230Y-70+ | EDIP,；28引脚；629.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 | |
| DS1230YL-100 | 停止供货 | DS1230YP-70+ | LPM； | 0°C至+70°C | 参考数据资料 | |
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装：类型 引脚 占位面积封装图 编码/变更 * | 温度 | RoHS/无铅？ |
| DS1230YP-100 | 10%容差、100ns | 停止供货 | DS1230YP-70+ | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1230YP-100+ | 生产中 | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1230YP-70 | 10%容差、70ns | 停止供货 | DS1230YP-70+ | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1230YP-70+ | 生产中 | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1230YP-70IND | 10%容差、70ns | 停止供货 | DS1230YP-70IND+ | PCAP,；34引脚；596.9mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1230YP-70IND+ | 生产中 | PCAP,；34引脚；596.9mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 |
- DS1230AB-DS1230Y.pdf DS1230Y
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM DS1270Y
- NV SRAM Device Programmers DS1250Y
- Timing Considerations When Using NVSRAM DS1350Y
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table DS1270Y
- NV SRAM Frequently Asked Questions DS1350Y
- Adding Nonvolatile SRAM into Embedded Systems DS87C520
- DS1230AB-DS1230Y.pdf DS1230Y
