DS1265AB：8M非易失SRAM
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
| DS1265AB、DS1265Y：引脚分配 |
数据手册DataSheet
| 语言 | 下载文件 | 备注 |
|---|---|---|
| 英文 | DS1265AB-DS1265Y.pdf | Rev 3; 11/2010 |
关键参数
| Part Number | Memory Type | Memory Size | Bus Type | VSUPPLY (V) | VSUPPLY (V) | Package/Pins | Budgetary Price |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| min | max | See Notes | |||||
| DS1265AB | NV SRAM | 1M x 8 | Parallel | 4.75 | 5.25 | EDIP/36 | $77.89 @1k |
| DS1265Y | 4.5 | 5.5 | EDIP/36 | ||||
技术资料
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
- Timing Considerations When Using NVSRAM
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
- NV SRAM Frequently Asked Questions
订购型号
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装 | 温度 | RoHS/无铅 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1265AB-100 | 5%容差、100ns | 停止供货 | DS1265AB-70+ | EDIP,；36引脚；861.6mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1265AB-100+ | 生产中 | EDIP,；36引脚；861.6mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1265AB-70 | 5%容差、70ns | 停止供货 | DS1265AB-70+ | EDIP,；36引脚；861.6mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1265AB-70+ | 生产中 | EDIP,；36引脚；861.6mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1265AB-70IND | 5%容差、70ns | 停止供货 | DS1265AB-70IND+ | EDIP,；36引脚；861.6mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1265AB-70IND+ | 生产中 | EDIP,；36引脚；861.6mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 |
- DS1265AB-DS1265Y.pdf DS1265Y
