DS1330Y：256k非易失SRAM，带有电池监控器 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

DS1330Y：256k非易失SRAM，带有电池监控器

DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1330器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1330器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
当VCC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
电池监视器核查剩余电量
100ns的读写存取时间
没有写次数限制
典型待机电流50µA
可升级32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10% VCC工作范围(DS1330Y)或±5% VCC工作范围(DS1330AB)
可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
PowerCap模块(PCM)封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
- 所有NV SRAM器件提供标准引脚
- 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

DS1330AB、DS1330Y：引脚分配

数据手册DataSheet

语言	下载文件	备注
英文	DS1330AB-DS1330Y.pdf	Rev 3; 10/2010

关键参数

Part Number	Memory Type	Memory Size	Bus Type	V_SUPPLY (V)	V_SUPPLY (V)	Package/Pins	Budgetary Price
Part Number	Memory Type	Memory Size	Bus Type	min	max	Package/Pins	See Notes
DS1330AB	NV SRAM	32K x 8	Parallel	4.75	5.25	PCAP/34	$10.31 @1k
DS1330Y	NV SRAM	32K x 8	Parallel	4.5	5.5	PCAP/34	$10.67 @1k

技术资料

订购型号

型号	注	状况	推荐替代产品	封装	温度	RoHS/无铅
DS1330YL-70		停止供货	DS1330YP-70+	LPM；	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1330YP-100	10%容差、100ns	停止供货	DS1330YP-70+	PCAP,；34引脚；596.9mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1330YP-100+		生产中		PCAP,；34引脚；596.9mm²	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅
DS1330YP-70	10%容差、70ns	停止供货	DS1330YP-70+	PCAP,；34引脚；596.9mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1330YP-70+		生产中		PCAP,；34引脚；596.9mm²	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅
DS1330YP-70IND	10%容差、70ns	停止供货	DS1330YP-70IND+	PCAP,；34引脚；596.9mm²	-40°C至+85°C	参考数据资料
DS1330YP-70IND+		生产中		PCAP,；34引脚；596.9mm²	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅