为外设和系统提供低成本世界级安全认证
DS28E01-100将1024位EEPROM与符合ISO/IEC 10118-3安全散列算法(SHA-1)的质询响应安全认证结合在一起。1024位EEPROM阵列被配置为四页,每页256位,且带有64位暂存器以执行写操作。所有的存储页面都可以设置为写保护模式,并可将其中某页置于EPROM仿真模式,即将数据位只能从1变为0。每片DS28E01-100带有唯一的64位ROM注册码,由工厂刻入芯片。DS28E01-100通过单触点1-Wire®串行接口进行通信,遵循1-Wire协议,在多个从器件的1-Wire网络中充当节点地址。
关键特性
| 应用
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语言 | 下载文件 | 备注 |
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英文 | DS28E01-100.pdf | Rev 8; 10/2012 |
中文 | DS28E01-100_cn.pdf | Rev 5; 11/2010 *数据资料已更新,阅读最新版本,请下载英文版。 |
Part Number | Applications | Memory Type | Memory Size | Bus Type | VSUPPLY (V) | Oper. Temp. (°C) | Package/Pins |
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DS28E01-100 | Rack Card Security | EEPROM | 1K x 1 | 1-Wire | 2.8 to 5.25 | -40 to +85 |
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型号 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装 | 温度 | RoHS/无铅 |
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DS28E01-100+ | 生产中 | TO92,;2引脚;19.5mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E01G-100+T&R | 生产中 | SFN,;2引脚;37.2mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E01G-100+U | 生产中 | SFN,;2引脚;37.2mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E01P-100+ | 生产中 | TSOC,;6引脚;17.8mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E01P-100+T | 生产中 | TSOC,;6引脚;17.8mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E01Q-100+T&R | 生产中 | TDFN-EP,;6引脚;9.6mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E01Q-100+U | 生产中 | TDFN-EP,;6引脚;9.6mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 |