通过单个触点提供低成本、安全双向认证,适用于低功耗产品
DS28E02将1024位EEPROM与符合FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1)的质询-响应安全认证功能结合在一起。1024位EEPROM阵列被配置为四页,每页256位,且带有64位暂存器用于执行写操作。所有存储页面都可以设置为写保护模式,并可将其中一页置于EPROM仿真模式,该模式下数据位只能从1变为0。每片DS28E02带有各自唯一的64位ROM注册码,由工厂刻入芯片。DS28E02通过单触点1-Wire®总线进行通信,遵循标准的1-Wire协议,注册码在多器件1-Wire网络中充当节点地址。
语言 | 下载文件 | 备注 |
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英文 | DS28E02.pdf | Rev 1; 03/2012 |
勘误表 DS28E02 | DS28E02_A1.pdf |
Part Number | Memory Type | Memory Size | Bus Type | VSUPPLY (V) | Oper. Temp. (°C) | Package/Pins |
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DS28E02 | EEPROM | 1K x 1 | 1-Wire | 1.75 to 3.65 | -20 to +85 |
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型号 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装 | 温度 | RoHS/无铅 |
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DS28E02P+ | 生产中 | TSOC,;6引脚;17.8mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E02P+T&R | 生产中 | TSOC,;6引脚;17.8mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E02Q+T&R | 生产中 | TDFN-EP,;6引脚;9.6mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E02Q+U | 生产中 | TDFN-EP,;6引脚;9.6mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 |