1Kb串行EEPROM,通过单触点1-Wire接口操作
DS28E07是一款1024位1-Wire® EEPROM芯片,由四页存储区组成,每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中,经校验后复制到EEPROM存储器。该器件的特点是,四页存储区相互独立,可以单独进行写保护或进入EPROM仿真模式,在该模式下,所有位的状态只能从1变成0。每片器件都拥有唯一的64位ROM识别码(ROM ID),由工厂写至芯片。通信符合1-Wire协议,在多器件的1-Wire网络中,ROM ID作为节点地址。
语言 | 下载文件 | 备注 |
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英文 | DS28E07.pdf | Rev 2; 01/2017 |
Part Number | Applications | Memory Type | Memory Size | Bus Type | VSUPPLY (V) | VSUPPLY (V) | Package/Pins | Budgetary Price |
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min | max | See Notes | ||||||
DS28E07 |
| EEPROM | 1K x 1 | 1-Wire | 3 | 5.25 |
| $0.55 @1k |
型号 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装 | 温度 | RoHS/无铅 |
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DS28E07+ | 生产中 | TO92,;3引脚;19.5mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E07+T | 生产中 | TO92,;3引脚;27.6mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E07P+ | 生产中 | TSOC,;6引脚;17.8mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E07P+T | 生产中 | TSOC,;6引脚;17.8mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 | |
DS28E07Q+T | 生产中 | TDFN-EP,;6引脚;9.6mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅 |