MMRF1024HS: 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 28 V RF Power LDMOS Transistor
特性
| NI-1230S-4L2L Package Image |
数据手册 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| MMRF1024HS 2496-2690 MHz, 50 W Avg, 28 V Data Sheet (REV 0) PDF (428.3 kB) MMRF1024HS [English] | 04 Apr 2016 |
应用说明 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English] | 29 Apr 2014 |
工程设计要点 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English] | 19 Jan 2004 |
手册 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| RF Aerospace and Defense Solutions Brochure (REV 4.1) PDF (1.6 MB) BR1611 [English] | 16 May 2016 |
选型工具指南 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English] | 26 May 2016 |
封装信息 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| 98ASA00513D, NI-1230-4LS2L (REV A) PDF (44.6 kB) 98ASA00513D [English] | 10 Mar 2013 |
订购信息
| 型号 | 状态 | 状态 | Frequency Min (Min) (MHz) | Frequency Max (Max) (MHz) | 供电电压 (Typ) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | P1dB (Typ) (W) | 输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal | 测试信号 | 功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz) | 效率 (Typ) (%) | 热阻 (Spec)(°C/W) | 匹配 | 类型 | 模具技术 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1024HSR5 | Active | 2496 | 2690 | 28 | 53.6 | 230 | 50 @ AVG | W-CDMA | 14.1 @ 2496 | 44.6 | 0.42 | I/O | AB, C | LDMOS |
封装环保信息
| 封装说明 | Outline Version | 包装 | 产品状态 | 部件编号 | 化学成分 | RoHS / Pb Free中国RoHS查询 | PPT (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NI-1230-4L2L | 98ASA00513D | MPQ - 50 REELPOQ - 50 BOX | Active | MMRF1024HSR5 | MMRF1024HSR5.pdf |   | 260 |
- AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
- Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
- RF Aerospace and Defense Solutions Brochure MMRF5300N
- RF Products Selector Guide MMT20303H
- 98ASA00513D, NI-1230-4LS2L MMRF1024HS
- MMRF1024HSR5.pdf MMRF1024HS
