射频功率晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

射频功率晶体管

移动通信基础设施射频器件

商用航空航天射频

AFIC10275N: 978-1090 MHz，250 W 峰值，50 V Airfast LDMOS宽带射频集成放大器
AFV121KH: 1000 W峰值，960-1215 MHz，50 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
AFV141KH: 1200-1400 MHz，1000 W峰值，50 V LDMOS射频功率晶体管
MRF6V10010N: 1090 MHz，10 W，50 V脉冲射频功率LDMOS
MRF6V12250H: 960-1215 MHz，275 W，50 V脉冲射频功率LDMOS
MRF6V12500H: 960-1215 MHz，500 W，50 V脉冲射频功率LDMOS
MRF6V13250H: 1300 MHz，250 W，50 V射频功率LDMOS
MRF6V14300H: 1400 MHz，330 W，50 V脉冲射频功率LDMOS
MRF6VP121KH: 965-1215 MHz，1000 W，50 V宽带射频功率LDMOS
MRF7S35120HSR3: 3100-3500 MHz, 120 W Peak, 32 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET
MRF8P29300H: 2700-2900 MHz，320 W，30 V横向N信道宽带射频功率MOSFET
MRFE6VP100H: 1.8-2000 MHz，100 W，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRFE6VS25L: 1.8-2000 MHz，25 W，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRFE6VS25N: 1.8-2000 MHz，25 W，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管

射频烹饪

工业、科学和医疗射频

MRF1K50H: 1.8-500 MHz，1500 W连续波，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRF1K50N: 1.8-500 MHz，1500 W连续波，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRF24300N: 300 W连续波，2400-2500 MHz，32 V LDMOS射频功率晶体管
MRF6P24190HR6: 2450 MHz，190 W，28 V连续波射频功率LDMOS
MRF6S24140H: 2450 MHz，140 W，28 V连续波射频功率LDMOS
MRF6V2010N: 10-450 MHz，10 W，50 V宽带射频功率LDMOS
MRF6V2150N: 10-450 MHz，150 W，50 V单端宽带射频功率LDMOS
MRF6V2300N: 10-600 MHz，300 W，50 V单端宽带射频功率LDMOS
MRF6V3090N: 470-860 MHz，90 W，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRF6V4300N: 10-600 MHz，300 W，50 V单端宽带射频功率LDMOS
MRF6VP11KH: 1.8-150 MHz，1000 W，50 V宽带射频功率LDMOS
MRF6VP21KH: 10-235 MHz，1000 W，50 V宽带射频功率LDMOS
MRF6VP2600H: 2-500 MHz，600 W，50 V宽带射频功率LDMOS
MRF6VP3091N: 470-860 MHz，90 W，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRF6VP3450H: 860 MHz，450 W，50 V宽带射频功率LDMOS
MRF6VP41KH: 10-500 MHz，1000 W，50 V宽带射频功率LDMOS
MRF7S24250N: 250 W连续波，2400-2500 MHz，32 V射频功率LDMOS晶体管
MRF8VP13350N: 700-1300 MHz，350 W连续波，50 V LDMOS射频功率晶体管
MRFE6P3300H: 860 MHz，300 W，32 V射频功率LDMOS
MRFE6S9060NR1: 880 MHz，14 W平均值，28 V，单载波N-CDMA横向N信道宽带射频功率MOSFET
MRFE6VP100H: 1.8-2000 MHz，100 W，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRFE6VP5150N: 1.8-600 MHz，150 W连续波，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRFE6VP5300N: 1.8-600 MHz，300 W连续波，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRFE6VP5600H: 1.8-600 MHz，600 W连续波，50 V宽带射频功率LDMOS
MRFE6VP61K25H: 1.8-600 MHz，1250 W连续波，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRFE6VP61K25N: 1.8-600 MHz，1250 W连续波，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRFE6VP6300H: 1.8-600 MHz，300 W，50 V宽带射频功率LDMOS
MRFE6VP6600N: 1.8-600 MHz，600 W连续波，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRFE6VP8600H: 470-860 MHz，600 W，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRFE6VS25L: 1.8-2000 MHz，25 W，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRFE6VS25N: 1.8-2000 MHz，25 W，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRFE8VP8600H: 平均值为140 W，频率470-860 MHz的50 V射频功率LDMOS晶体管
MW7IC2425N: 2450 MHz，25 W连续波，28 V射频功率LDMOS

军用射频

移动无线电射频

AFIC901N: 30 dBm，频率为1.8-1000 MHz，7.5 V Airfast宽带射频集成LDMOS放大器
AFM906N: 6 W连续波，136-941 MHz，7.5 V Airfast^® LDMOS宽带射频功率晶体管
AFT05MP075N: 136-520 MHz，70 W，12.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管
AFT05MS003N: 3 W连续波，1.8-941 MHz，7.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管
AFT05MS004N: 136-941 MHz，4 W，7.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管
AFT05MS006N: 136-941 MHz，6.0 W，7.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管
AFT05MS031N: 136-520 MHz，31 W，13.6 V LDMOS宽带射频功率晶体管
AFT09MP055N: 764-941 MHz，55 W，12.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管
AFT09MS007N: 136-941 MHz，7 W，7.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管
AFT09MS015N: 136-941 MHz，16 W，12.5 V 宽带LDMOS射频功率晶体管
AFT09MS031N: 764-941 MHz，31 W，13.6 V LDMOS宽带射频功率晶体管
MRF1511NT1: 175 MHz，8 W，7.5 V横向N信道宽带射频功率MOSFET
MRF1513NT1: 520 MHz，3 W，12.5 V横向N信道宽带射频功率MOSFET
MRF1517NT1: 520 MHz，8 W，7.5 V横向N信道宽带射频功率MOSFET
MRF1518NT1: 520 MHz，8 W，12.5 V横向N信道宽带射频功率MOSFET
MRF1535N: 520 MHz，35 W，12.5 V横向N信道宽带射频功率MOSFET
MRF1550N: 175 MHz，50 W，12.5 V宽带射频功率LDMOS
MRF1570N: 470 MHz，70 W，12.5 V宽带射频功率LDMOS

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